NDD03N60ZT4G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-252-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

600 V

Id - 连续漏极电流：

2.6 A

Rds On - 漏源电阻：

3.3 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

4.5 V

Vgs - 栅源电压：

30 V

Qg - 门电荷：

12 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 125 C

Pd - 功耗：

61 W

配置：

单身的

打包：

卷轴

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

安森美半导体

正向跨导 - 最小值：

2 S

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

单位重量：

0.139332 oz

Tags

NDD03N60Z, NDD03N6, NDD03, NDD0, NDD