SI8902AEDB-T2-E1

产品属性

属性值

制造商：

威世

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

MicroFoot-6

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

24 V

Id - 连续漏极电流：

11 A

Rds On - 漏源电阻：

28 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

400 mV

Vgs - 栅源电压：

12 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

5.7 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

威世 / Siliconix

正向跨导 - 最小值：

15 S

秋季时间：

12 us

产品类别：

MOSFET

上升时间：

3.5 us

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

25 us

典型的开启延迟时间：

1.5 us

Tags

SI8902, SI890, SI89, SI8