IPI086N10N3 G

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-262-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

100 V

Id - 连续漏极电流：

80 A

Rds On - 漏源电阻：

8.2 mOhms

Vgs - 栅源电压：

20 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

125 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

商品名：

优化MOS

打包：

管子

高度：

9.45 mm

长度：

10.2 mm

系列：

OptiMOS 3

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

4.5 mm

品牌：

英飞凌科技

秋季时间：

8 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

42 ns

出厂包装数量：

500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

31 ns

典型的开启延迟时间：

18 ns

第 # 部分别名：

IPI086N10N3GXKSA1 IPI86N1N3GXK SP000683070

单位重量：

0.073511 oz

Tags

IPI086N10N3G, IPI086N10N3, IPI086, IPI08, IPI0, IPI