SI4477DY-T1-GE3

产品属性

属性值

制造商：

威世

产品分类：

MOSFET

RoHS：

E

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SO-8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

26.6 A

Rds On - 漏源电阻：

6.2 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

600 mV

Vgs - 栅源电压：

4.5 V

Qg - 门电荷：

125 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

6.6 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

商品名：

沟槽场效应晶体管

打包：

卷轴

高度：

1.75 mm

长度：

4.9 mm

系列：

SI4

晶体管类型：

1 P-Channel

宽度：

3.9 mm

品牌：

威世 / Siliconix

正向跨导 - 最小值：

10 S

秋季时间：

42 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

42 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

100 ns

典型的开启延迟时间：

42 ns

第 # 部分别名：

SI4477DY-GE3

单位重量：

0.006596 oz

Tags

SI4477, SI447, SI44, SI4