NTJD4105CT1G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-363-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N沟道，P沟道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V, 8 V

Id - 连续漏极电流：

630 mA, - 775 mA

Rds On - 漏源电阻：

375 mOhms, 900 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

600 mV, 450 mV

Vgs - 栅源电压：

4.5 V, - 1.8 V

Qg - 门电荷：

1.3 nC, 2.2 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

0.55 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

0.9 mm

长度：

2 mm

产品：

MOSFET 小信号

系列：

NTJD4105C

晶体管类型：

1 N-Channel, 1 P-Channel

类型：

MOSFET

宽度：

1.25 mm

品牌：

安森美半导体

正向跨导 - 最小值：

2 S, 2 S

秋季时间：

506 ns, 36 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

227 ns, 23 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

786 ns, 50 ns

典型的开启延迟时间：

83 ns, 13 ns

单位重量：

0.000265 oz

Tags

NTJD4105CT1G, NTJD4105CT1, NTJD4105, NTJD410, NTJD41, NTJD4, NTJD, NTJ