BSO615CGHUMA1

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SO-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N沟道，P沟道

Vds - 漏源击穿电压：

60 V

Id - 连续漏极电流：

3.1 A, 2 A

Rds On - 漏源电阻：

70 mOhms, 190 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.2 V, 2 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

22.5 nC, 20 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

1.75 mm

长度：

4.9 mm

系列：

BSO615

晶体管类型：

1 N-Channel, 1 P-Channel

宽度：

3.9 mm

品牌：

英飞凌科技

正向跨导 - 最小值：

2.25 S, 1.2 S

秋季时间：

18 ns, 90 ns

湿气敏感：

是的

产品类别：

MOSFET

上升时间：

75 ns, 105 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

25 ns, 125 ns

典型的开启延迟时间：

16 ns, 24 ns

第 # 部分别名：

BSO615C BSO615CGXT G SP000216311

单位重量：

0.019048 oz

Tags

BSO615CG, BSO615C, BSO615, BSO61, BSO6, BSO