IXTP18P10T

产品属性

属性值

制造商：

IXYS

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-220-3

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

100 V

Id - 连续漏极电流：

18 A

Rds On - 漏源电阻：

120 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

4.5 V

Vgs - 栅源电压：

15 V

Qg - 门电荷：

39 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

83 W

频道模式：

增强

商品名：

沟槽P

打包：

管子

高度：

16 mm

长度：

10.66 mm

系列：

IXTP18P10

类型：

沟槽功率 MOSFET

宽度：

4.83 mm

品牌：

IXYS

正向跨导 - 最小值：

8 S

秋季时间：

22 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

26 ns

出厂包装数量：

50

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

44 ns

典型的开启延迟时间：

19 ns

单位重量：

0.081130 oz

Tags

IXTP18, IXTP1, IXTP, IXT