FDB4020P

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

E

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-263-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

16 A

Rds On - 漏源电阻：

68 mOhms

Vgs - 栅源电压：

8 V

最低工作温度：

- 65 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

37.5 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

4.83 mm

长度：

10.67 mm

晶体管类型：

1 P-Channel

类型：

场效应管

宽度：

9.65 mm

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

正向跨导 - 最小值：

14 S

秋季时间：

29 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

24 ns

出厂包装数量：

800

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

50 ns

典型的开启延迟时间：

8 ns

单位重量：

0.050717 oz

Tags

FDB40, FDB4, FDB