IPP65R190E6

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-220-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

650 V

Id - 连续漏极电流：

20.2 A

Rds On - 漏源电阻：

170 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2.5 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

73 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

151 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

商品名：

酷摩

打包：

管子

高度：

15.65 mm

长度：

10 mm

系列：

CoolMOS E6

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

4.4 mm

品牌：

英飞凌科技

秋季时间：

10 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

11 ns

出厂包装数量：

500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

112 ns

典型的开启延迟时间：

12 ns

第 # 部分别名：

IPP65R190E6XKSA1 IPP65R19E6XK SP000849876

单位重量：

0.063493 oz

Tags

IPP65R19, IPP65R1, IPP65, IPP6, IPP