2N6609

产品属性

属性值

制造商：

中央半导体

产品分类：

双极晶体管 - BJT

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-3-2

晶体管极性：

PNP

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

140 V

集电极-基极电压 VCBO：

160 V

发射极基极电压 VEBO：

7 V

集电极-发射极饱和电压：

1.4 V

增益带宽积 fT：

4 MHz

最低工作温度：

- 65 C

最高工作温度：

+ 200 C

系列：

2N6609

直流电流增益 hFE 最大值：

60

打包：

大部分

品牌：

中央半导体

连续集电极电流：

16 A

DC 集电极/基极增益 hfe 最小值：

5

Pd - 功耗：

150 W

产品类别：

BJT - 双极晶体管

出厂包装数量：

20

子类别：

晶体管

第 # 部分别名：

2N6609 PBFREE

Tags

2N6609, 2N660, 2N66, 2N6