ZVN4525E6TA

产品属性

属性值

制造商：

二极管公司

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-26-6

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

250 V

Id - 连续漏极电流：

230 mA

Rds On - 漏源电阻：

8.5 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

800 mV

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

2.6 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.1 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

1.3 mm

长度：

3.1 mm

产品：

MOSFET 小信号

系列：

ZVN4525

晶体管类型：

1 N-Channel

类型：

场效应管

宽度：

1.8 mm

品牌：

二极管公司

正向跨导 - 最小值：

0.3 S

秋季时间：

3.5 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

1.7 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

11.4 ns

典型的开启延迟时间：

1.25 ns

单位重量：

0.000529 oz

Tags

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