DMG1029SVQ-7

产品属性

属性值

制造商：

二极管公司

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-563-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N沟道，P沟道

Vds - 漏源击穿电压：

60 V

Id - 连续漏极电流：

500 mA, - 360 mA

Rds On - 漏源电阻：

1.7 Ohms, 4 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1 V, - 3 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

0.3 nC, 0.28 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

资质：

AEC-Q101

打包：

卷轴

晶体管类型：

1 N-Channel, 1 P-Channel

品牌：

二极管公司

正向跨导 - 最小值：

80 mS, 50 mS

秋季时间：

9.9 ns, 11.6 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

3.4 ns, 7.9 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

15.7 ns, 10.6 ns

典型的开启延迟时间：

3.9 ns, 5.5 ns

单位重量：

0.000952 oz

Tags

DMG1029, DMG102, DMG1, DMG