Jan2N930/TR

产品属性

属性值

制造商：

微芯片

产品分类：

双极晶体管 - BJT

RoHS：

N

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-72-3

晶体管极性：

NPN

配置：

单身的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

15 V

集电极-基极电压 VCBO：

30 V

发射极基极电压 VEBO：

3 V

集电极-发射极饱和电压：

0.4 V

最大直流集电极电流：

50 mA

最低工作温度：

- 65 C

最高工作温度：

+ 200 C

直流电流增益 hFE 最大值：

200 at 3 mA, 1 V

品牌：

微芯片/Microsemi

DC 集电极/基极增益 hfe 最小值：

100 at 10 uA, 5 V

Pd - 功耗：

200 mW

产品类别：

BJT - 双极晶体管

出厂包装数量：

1

子类别：

晶体管

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Jan2N9, Jan2N, Jan2, JAN