UT6MA3TCR

产品属性

属性值

制造商：

罗姆半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

HUML2020L-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N沟道，P沟道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

5.5 A, 5 A

Rds On - 漏源电阻：

30 mOhms, 42 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

500 mV, 1.5 V

Vgs - 栅源电压：

8 V

Qg - 门电荷：

4 nC, 6.5 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

晶体管类型：

1 N-Channel, 1 P-Channel

品牌：

罗姆半导体

正向跨导 - 最小值：

3.1 S, 4.1 S

秋季时间：

5.5 ns, 30 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

5.9 ns, 36 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

24 ns, 50 ns

典型的开启延迟时间：

7.8 ns, 9 ns

第 # 部分别名：

UT6MA3

Tags

UT6MA, UT6M, UT6