D5029UK

产品属性

属性值

制造商：

TT电子

产品分类：

射频 MOSFET 晶体管

晶体管极性：

N通道

技术：

硅

Id - 连续漏极电流：

21 A

Vds - 漏源击穿电压：

125 V

获得：

13 dB

输出功率：

350 W

最高工作温度：

+ 150 C

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

DR

配置：

双重的

工作频率：

175 MHz

类型：

射频功率MOSFET

品牌：

Semelab / TT Electronics

Pd - 功耗：

438 W

产品类别：

射频 MOSFET 晶体管

出厂包装数量：

10

子类别：

MOSFET

Vgs - 栅源电压：

20 V

Vgs th - 栅源阈值电压：

1 V to 7 V

Tags

D502, D50