SI9407BDY-T1-E3

产品属性

属性值

制造商：

威世

产品分类：

MOSFET

RoHS：

E

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SO-8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

60 V

Id - 连续漏极电流：

4.7 A

Rds On - 漏源电阻：

100 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

14.5 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

5 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

商品名：

沟槽场效应晶体管

打包：

卷轴

系列：

SI9

品牌：

威世 / Siliconix

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

第 # 部分别名：

SI9407BDY-E3

单位重量：

0.017870 oz

Tags

SI9407BDY-T, SI9407BDY, SI9407BD, SI9407B, SI9407, SI940, SI94, SI9