F20W60C3-7100

产品属性

属性值

制造商：

新电玄

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

MTO-3P-3

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

600 V

Id - 连续漏极电流：

20 A

Rds On - 漏源电阻：

190 mOhms

Vgs - 栅源电压：

30 V

Qg - 门电荷：

87 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

75 W

打包：

管子

品牌：

新电玄

正向跨导 - 最小值：

8.7 S

秋季时间：

60 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

60 ns

出厂包装数量：

30

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

355 ns

典型的开启延迟时间：

32 ns

Tags

F20W6, F20W, F20