NVF2955PT1G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-223-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

60 V

Id - 连续漏极电流：

2.6 A

Rds On - 漏源电阻：

170 mOhms

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

14.3 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

2.3 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

晶体管类型：

1 P-Channel

品牌：

安森美半导体

正向跨导 - 最小值：

1.77 S

秋季时间：

38 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

7.6 ns

出厂包装数量：

1000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

65 ns

典型的开启延迟时间：

11 ns

单位重量：

0.008818 oz

Tags

NVF29, NVF2, NVF