SSM6N39TU,LF

产品属性

属性值

制造商：

东芝

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

UF-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

1.6 A

Rds On - 漏源电阻：

87 mOhms, 87 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

350 mV

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

7.5 nC, 7.5 nC

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

500 mW

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

系列：

SSM6N39TU

晶体管类型：

2 N-Channel

品牌：

东芝

正向跨导 - 最小值：

2.5 S, 2.5 S

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

8.3 ns, 8.3 ns

典型的开启延迟时间：

11.5 ns, 11.5 ns

单位重量：

0.000247 oz

Tags

SSM6N39, SSM6N3, SSM6N, SSM6, SSM