UM6J1NTN

产品属性

属性值

制造商：

罗姆半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-363-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

200 mA

Rds On - 漏源电阻：

900 mOhms

Vgs - 栅源电压：

20 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

150 mW

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

系列：

UM6J1N

晶体管类型：

2 P-Channel

品牌：

罗姆半导体

正向跨导 - 最小值：

0.2 S

秋季时间：

40 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

5 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

30 ns

典型的开启延迟时间：

8 ns

第 # 部分别名：

UM6J1N

单位重量：

0.000265 oz

Tags

UM6J1NT, UM6J1N, UM6J, UM6