FQE10N20CTU

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-126-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

200 V

Id - 连续漏极电流：

4 A

Rds On - 漏源电阻：

360 mOhms

Vgs - 栅源电压：

30 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

12.8 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

管子

高度：

11 mm

长度：

8 mm

晶体管类型：

1 N-Channel

类型：

MOSFET

宽度：

3.25 mm

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

正向跨导 - 最小值：

4.5 S

秋季时间：

72 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

92 ns

出厂包装数量：

60

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

70 ns

典型的开启延迟时间：

11 ns

第 # 部分别名：

FQE10N20CTU_NL

单位重量：

0.014110 oz

Tags

FQE