FMM110-015X2F

产品属性

属性值

制造商：

IXYS

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

ISOPLUS-i4-PAK-5

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

150 V

Id - 连续漏极电流：

53 A

Rds On - 漏源电阻：

20 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

4.5 V

Vgs - 栅源电压：

30 V

Qg - 门电荷：

150 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

180 W

配置：

双重的

商品名：

TrenchT2

打包：

管子

高度：

21.34 mm

长度：

20.29 mm

系列：

FMM110-015X2F

晶体管类型：

2 N-Channel

类型：

TrenchT2 HiperFET N-Channel Power MOSFET

宽度：

5.21 mm

品牌：

IXYS

正向跨导 - 最小值：

75 S

秋季时间：

18 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

16 ns

出厂包装数量：

25

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

33 ns

典型的开启延迟时间：

33 ns

单位重量：

0.229281 oz

Tags

FMM11, FMM1, FMM