ZXMHC6A07N8TC

产品属性

属性值

制造商：

二极管公司

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SO-8

通道数：

4 Channel

晶体管极性：

N沟道，P沟道

Vds - 漏源击穿电压：

60 V

Id - 连续漏极电流：

1.8 A, 1.42 A

Rds On - 漏源电阻：

250 mOhms, 400 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1 V

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

3.2 nC, 5.7 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

0.87 W

配置：

四边形

频道模式：

增强

打包：

卷轴

系列：

ZXMHC6

晶体管类型：

2 N-Channel, 2 P-Channel

品牌：

二极管公司

正向跨导 - 最小值：

2.3 S, 1.8 S

秋季时间：

2 ns, 5.8 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

1.4 ns, 2.3 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

4.9 ns, 13 ns

典型的开启延迟时间：

1.8 ns, 1.6 ns

单位重量：

0.002610 oz

Tags

ZXMHC6, ZXMHC, ZXMH, ZXM