NTMS4177PR2G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOIC-8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

6.6 A

Rds On - 漏源电阻：

19 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.5 V

Vgs - 栅源电压：

4.5 V

Qg - 门电荷：

55 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2.5 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

1.5 mm

长度：

5 mm

产品：

MOSFET 小信号

系列：

NTMS4177P

晶体管类型：

1 P-Channel

类型：

功率MOSFET

宽度：

4 mm

品牌：

安森美半导体

正向跨导 - 最小值：

30 S

秋季时间：

36 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

13 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

64 ns

典型的开启延迟时间：

18 ns

单位重量：

0.019048 oz

Tags

NTMS4177, NTMS417, NTMS41, NTMS4, NTMS, NTM