DMN10H220LE-13

产品属性

属性值

制造商：

二极管公司

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-223-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

100 V

Id - 连续漏极电流：

2.3 A

Rds On - 漏源电阻：

220 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.7 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

8.3 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.8 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

系列：

DMN10

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

二极管公司

正向跨导 - 最小值：

-

秋季时间：

3.6 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

8.2 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

7.9 ns

典型的开启延迟时间：

6.8 ns

单位重量：

0.009171 oz

Tags

DMN10H2, DMN10H, DMN10, DMN1, DMN