IXKN75N60C

产品属性

属性值

制造商：

IXYS

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

底盘安装

包装/案例：

SOT-227-4

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

600 V

Id - 连续漏极电流：

75 A

Rds On - 漏源电阻：

30 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

3.9 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

500 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

配置：

单身的

频道模式：

增强

商品名：

酷摩

打包：

管子

高度：

12.22 mm

长度：

38.23 mm

系列：

IXKN75N60

晶体管类型：

1 N-Channel

类型：

CoolMOS 功率 MOSFET

宽度：

25.42 mm

品牌：

IXYS

秋季时间：

10 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

30 ns

出厂包装数量：

10

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

110 ns

典型的开启延迟时间：

20 ns

单位重量：

1.058219 oz

Tags

IXKN, IXK