IPB120N04S402ATMA1

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-263-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

40 V

Id - 连续漏极电流：

120 A

Rds On - 漏源电阻：

1.58 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

134 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

158 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

资质：

AEC-Q101

打包：

卷轴

高度：

4.4 mm

长度：

10 mm

系列：

XPB120N04

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

9.25 mm

品牌：

英飞凌科技

秋季时间：

30 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

16 ns

出厂包装数量：

1000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

30 ns

典型的开启延迟时间：

27 ns

第 # 部分别名：

IPB120N04S4-02 IPB12N4S42XT SP000764726

单位重量：

0.067021 oz

Tags

IPB120N04S40, IPB120N04S4, IPB120N04, IPB120N0, IPB120N, IPB120, IPB12, IPB1, IPB