NUS3116MTR2G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

DFN-8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

12 V

Id - 连续漏极电流：

4.4 A

Rds On - 漏源电阻：

32 mOhms

Pd - 功耗：

1.7 W

配置：

单身的

打包：

卷轴

产品：

MOSFET 小信号

晶体管类型：

1 P-Channel

品牌：

安森美半导体

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

单位重量：

0.001319 oz

Tags

NUS3, NUS