PMDT290UCEH

产品属性

属性值

制造商：

Nexperia

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-666-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N沟道，P沟道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

800 mA

Rds On - 漏源电阻：

380 mOhms, 850 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

0.5 V, - 1.3 V

Vgs - 栅源电压：

8 V

Qg - 门电荷：

0.68 nC, 1.14 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1090 mW

配置：

双重的

频道模式：

增强

资质：

AEC-Q101

晶体管类型：

1 N-Channel, 1 P-Channel

品牌：

Nexperia

正向跨导 - 最小值：

1.6 S, 610 mS

秋季时间：

31 ns, 72 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

4 ns, 30 ns

出厂包装数量：

4000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

86 ns, 80 ns

典型的开启延迟时间：

6 ns, 18 ns

Tags

PMDT290UCE, PMDT290UC, PMDT2, PMDT, PMD