NVMFD5877NLT3G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

DFN-5x6-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

60 V

Id - 连续漏极电流：

17 A

Rds On - 漏源电阻：

39 mOhms

配置：

双重的

资质：

AEC-Q101

打包：

卷轴

系列：

NVMFD5877NL

晶体管类型：

2 N-Channel

品牌：

安森美半导体

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

5000

子类别：

MOSFET

单位重量：

0.001319 oz

Tags

NVMFD5877NLT, NVMFD5877, NVMFD587, NVMFD58, NVMFD, NVMF, NVM