SP8M6FRATB

产品属性

属性值

制造商：

罗姆半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOP-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N沟道，P沟道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

5 A, 3.5 A

Rds On - 漏源电阻：

36 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1 V

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

3.9 nC, 5.5 nC

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

资质：

AEC-Q101

打包：

卷轴

晶体管类型：

1 N-Channel, 1 P-Channel

品牌：

罗姆半导体

秋季时间：

5 ns, 10 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

8 ns, 15 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

22 ns, 35 ns

典型的开启延迟时间：

6 ns, 10 ns

第 # 部分别名：

SP8M6FRA

Tags

SP8M6, SP8M, SP8