BSM10GD120DN2E3224

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

IGBT 模块

RoHS：

Y

产品：

IGBT 硅模块

配置：

十六进制

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

1200 V

集电极-发射极饱和电压：

2.7 V

25 C 时的连续集电极电流：

15 A

栅极-发射极漏电流：

120 nA

Pd - 功耗：

80 W

包装/案例：

EconoPACK 2

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 150 C

打包：

托盘

高度：

17 mm

长度：

107.5 mm

宽度：

45 mm

品牌：

英飞凌科技

安装方式：

底盘安装

最大栅极发射极电压：

20 V

产品类别：

IGBT 模块

出厂包装数量：

10

子类别：

IGBT

第 # 部分别名：

BSM10GD120DN2E3224BOSA1 SP000100368

Tags

BSM10GD120DN2E3, BSM10GD120DN2E, BSM10GD12, BSM10GD1, BSM10GD, BSM10G, BSM10, BSM1, BSM