NP100P04PDG-E1-AY

产品属性

属性值

制造商：

瑞萨电子

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-263-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

40 V

Id - 连续漏极电流：

100 A

Rds On - 漏源电阻：

3.5 mOhms

Vgs - 栅源电压：

20 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

1800 mW

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

管子

高度：

4.45 mm

长度：

10 mm

晶体管类型：

1 P-Channel

宽度：

9.15 mm

品牌：

瑞萨电子

秋季时间：

100 ns

湿气敏感：

是的

产品类别：

MOSFET

上升时间：

30 ns

出厂包装数量：

800

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

300 ns

典型的开启延迟时间：

38 ns

单位重量：

0.077603 oz

Tags

NP100P04P, NP100P04, NP100P, NP100, NP10, NP1