EMH2418R-TL-H

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

EMH-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

24 V

Id - 连续漏极电流：

9 A

Rds On - 漏源电阻：

12 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

500 mV

Vgs - 栅源电压：

12 V

Qg - 门电荷：

4.4 nC, 4.4 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.3 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

系列：

EMH2418R

晶体管类型：

2 N-channel

品牌：

安森美半导体

正向跨导 - 最小值：

4 S, 4 S

秋季时间：

22.6 us, 22.6 us

产品类别：

MOSFET

上升时间：

170 ns, 170 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

17.5 us, 17.5 us

典型的开启延迟时间：

120 ns, 120 ns

单位重量：

0.000282 oz

Tags

EMH241, EMH24, EMH2, EMH