GA05JT01-46

产品属性

属性值

制造商：

GeneSiC半导体

产品分类：

场效应管

RoHS：

Y

技术：

碳化硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-46-3

晶体管极性：

N通道

配置：

单身的

Vds - 漏源击穿电压：

100 V

Vgs - 栅源击穿电压：

30 V

Vgs=0 时的漏源电流：

5.8 A

Id - 连续漏极电流：

9 A

Rds On - 漏源电阻：

620 mOhms

Pd - 功耗：

20 W

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 225 C

打包：

大部分

类型：

场效应管

品牌：

GeneSiC半导体

栅源截止电压：

3.45 V

最大漏栅电压：

25 V

出厂包装数量：

50

Tags

GA05J, GA05, GA0