NJVMJD50T4G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

双极晶体管 - BJT

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

DPAK-3

晶体管极性：

NPN

配置：

单身的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

400 V

集电极-基极电压 VCBO：

500 V

发射极基极电压 VEBO：

5 V

集电极-发射极饱和电压：

1 V

最大直流集电极电流：

2 A

增益带宽积 fT：

10 MHz

最低工作温度：

- 65 C

最高工作温度：

+ 150 C

系列：

MJD50

直流电流增益 hFE 最大值：

150 at 300 mA, 10 V

打包：

卷轴

品牌：

安森美半导体

DC 集电极/基极增益 hfe 最小值：

25 at 200 mA, 10 V

Pd - 功耗：

15 W

产品类别：

BJT - 双极晶体管

资质：

AEC-Q101

出厂包装数量：

2500

子类别：

晶体管

Tags

NJVMJD, NJVM, NJV