IPL65R165CFD

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

VSON-4

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

650 V

Id - 连续漏极电流：

21.3 A

Rds On - 漏源电阻：

149 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

3.5 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

86 nC

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

195 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

商品名：

酷摩

打包：

卷轴

系列：

CoolMOS CFD2

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

英飞凌科技

秋季时间：

5.6 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

7.6 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

52.8 ns

典型的开启延迟时间：

12.4 ns

第 # 部分别名：

IPL65R165CFDAUMA1 SP000949254

Tags

IPL65R16, IPL65R1, IPL65R, IPL65, IPL6, IPL