IRF6655TRPBF

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

DirectFET-SH

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

100 V

Id - 连续漏极电流：

4.2 A

Rds On - 漏源电阻：

53 mOhms

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

8.7 nC

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

42 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

0.7 mm

长度：

4.85 mm

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

3.95 mm

品牌：

英飞凌科技

秋季时间：

4.3 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

2.8 ns

出厂包装数量：

4800

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

14 ns

典型的开启延迟时间：

7.4 ns

第 # 部分别名：

SP001562060

Tags

IRF6655T, IRF665, IRF66, IRF6, IRF