IGW30N100TFKSA1

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

IGBT晶体管

RoHS：

Y

技术：

硅

包装/案例：

TO-247-3

安装方式：

通孔

配置：

单身的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

1000 V

集电极-发射极饱和电压：

1.8 V

最大栅极发射极电压：

20 V

25 C 时的连续集电极电流：

60 A

Pd - 功耗：

412 W

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

系列：

止沟IGBT

打包：

管子

连续集电极电流 Ic 最大值：

30 A

品牌：

英飞凌科技

栅极-发射极漏电流：

600 nA

产品类别：

IGBT晶体管

出厂包装数量：

240

子类别：

IGBT

商品名：

战壕

第 # 部分别名：

IGW30N100T IGW3N1TXK SP000380845

单位重量：

0.014110 oz

Tags

IGW30N1, IGW30N, IGW3, IGW