DMT6009LJ3

产品属性

属性值

制造商：

二极管公司

产品分类：

MOSFET

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-251-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

60 V

Id - 连续漏极电流：

74.5 A

Rds On - 漏源电阻：

12.8 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

700 mV

Vgs - 栅源电压：

16 V

Qg - 门电荷：

33.5 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

83.3 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

管子

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

二极管公司

秋季时间：

15.7 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

8.6 ns

出厂包装数量：

75

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

35.9 ns

典型的开启延迟时间：

4.5 ns

Tags

DMT6009, DMT600, DMT60, DMT6, DMT