IRFH5250DTR2PBF

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

PQFN-8

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

25 V

Id - 连续漏极电流：

40 A

Rds On - 漏源电阻：

2.2 mOhms

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

39 nC

Pd - 功耗：

3.6 W

打包：

卷轴

高度：

0.83 mm

长度：

6 mm

宽度：

5 mm

品牌：

英飞凌/红外

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

400

子类别：

MOSFET

第 # 部分别名：

SP001554770

Tags

IRFH5250D, IRFH5250, IRFH525, IRFH52, IRFH5, IRFH, IRF