VMMK-1218-TR1G

产品属性

属性值

制造商：

博通有限公司

产品分类：

射频 JFET 晶体管

RoHS：

Y

晶体管类型：

EpHEMT

技术：

砷化镓

获得：

9 dB

Vds - 漏源击穿电压：

5 V

Vgs - 栅源击穿电压：

- 5 V to 1 V

Id - 连续漏极电流：

100 mA

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

300 mW

安装方式：

贴片/贴片

打包：

卷轴

配置：

单身的

工作频率：

10 GHz

产品：

射频结型场效应管

类型：

GaAs EpHEMT

品牌：

博通/安华高

正向跨导 - 最小值：

200 mS

NF - 噪声系数：

0.81 dB

P1dB - 压缩点：

12 dBm

产品类别：

射频 JFET 晶体管

出厂包装数量：

5000

子类别：

晶体管

Tags

VMMK-121, VMMK-1, VMMK, VMM