IXTQ60N20L2

产品属性

属性值

制造商：

IXYS

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-3P-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

200 V

Id - 连续漏极电流：

60 A

Rds On - 漏源电阻：

45 mOhms

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

540 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

管子

系列：

IXTQ60N20

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

IXYS

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

30

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

90 ns

典型的开启延迟时间：

26 ns

单位重量：

0.194007 oz

Tags

IXTQ60, IXTQ6, IXTQ, IXT