IRF7759L2TRPBF

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

DirectFET-L8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

75 V

Id - 连续漏极电流：

160 A

Rds On - 漏源电阻：

1.8 mOhms

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

200 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

125 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

商品名：

直接场效应晶体管

打包：

卷轴

高度：

0.74 mm

长度：

9.15 mm

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

7.1 mm

品牌：

英飞凌科技

秋季时间：

33 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

87 ns

出厂包装数量：

4000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

80 ns

典型的开启延迟时间：

18 ns

第 # 部分别名：

SP001563710

Tags

IRF7759, IRF775, IRF77, IRF7, IRF