CSD88539ND

产品属性

属性值

制造商：

德州仪器

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOIC-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

60 V

Id - 连续漏极电流：

15 A

Rds On - 漏源电阻：

28 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2.6 V

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

7.2 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2.1 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

商品名：

场效应管

打包：

卷轴

高度：

1.75 mm

长度：

4.9 mm

系列：

CSD88539ND

晶体管类型：

2 N-Channel Power MOSFET

宽度：

3.9 mm

品牌：

德州仪器

秋季时间：

4 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

9 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

14 ns

典型的开启延迟时间：

5 ns

单位重量：

0.019048 oz

Tags

CSD8853, CSD885, CSD88, CSD8, CSD