SI4599DY-T1-GE3

产品属性

属性值

制造商：

威世

产品分类：

MOSFET

RoHS：

E

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SO-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N沟道，P沟道

Vds - 漏源击穿电压：

40 V

Id - 连续漏极电流：

5.8 A, 6.8 A

Rds On - 漏源电阻：

35.5 mOhms, 45 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.2 V, 1.4 V

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

11.7 nC, 25 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

3 W, 3.1 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

商品名：

沟槽场效应晶体管

打包：

卷轴

高度：

1.75 mm

长度：

4.9 mm

系列：

SI4

晶体管类型：

1 N-Channel, 1 P-Channel

宽度：

3.9 mm

品牌：

威世 / Siliconix

正向跨导 - 最小值：

14 S, 22 S

秋季时间：

9 ns, 9 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

10 ns, 12 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

15 ns, 30 ns

典型的开启延迟时间：

7 ns, 7 ns

第 # 部分别名：

SI4599DY-GE3

单位重量：

0.019048 oz

Tags

SI4599, SI459, SI45, SI4