CMUDM8004 TR

产品属性

属性值

制造商：

中央半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-523

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

450 mA

Rds On - 漏源电阻：

1 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1 V

Vgs - 栅源电压：

8 V

Qg - 门电荷：

880 pC

最低工作温度：

- 65 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

250 mW

配置：

单身的

频道模式：

增强

商品名：

超迷你

打包：

卷轴

系列：

CMUDM8

晶体管类型：

1 P-Channel

品牌：

中央半导体

正向跨导 - 最小值：

200 mS

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

第 # 部分别名：

CMUDM8004 PBFREE TR

单位重量：

0.000071 oz

Tags

CMUDM8004, CMUDM800, CMUDM8, CMUDM, CMUD, CMU