PTFA192001F V4 R250

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

射频 MOSFET 晶体管

RoHS：

Y

晶体管极性：

N通道

技术：

硅

Id - 连续漏极电流：

900 mA

Vds - 漏源击穿电压：

65 V

Rds On - 漏源电阻：

50 mOhms

获得：

17 dB

输出功率：

100 W

最高工作温度：

+ 150 C

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

H-37248-2

打包：

卷轴

配置：

单身的

高度：

4.11 mm

长度：

22.35 mm

工作频率：

1.93 GHz to 1.99 GHz

类型：

射频功率MOSFET

宽度：

13.72 mm

品牌：

英飞凌科技

频道模式：

增强

Pd - 功耗：

417 W

产品类别：

射频 MOSFET 晶体管

出厂包装数量：

250

子类别：

MOSFET

Vgs - 栅源电压：

12 V

第 # 部分别名：

FA192001FV4R25XT SP000393369

Tags

PTFA1920, PTFA192, PTFA19, PTFA1, PTFA, PTF