SSM6L35FU(TE85L,F)

产品属性

属性值

制造商：

东芝

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-363-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N沟道，P沟道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

180 mA

Rds On - 漏源电阻：

11 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1 V

Pd - 功耗：

200 mW

配置：

双重的

打包：

卷轴

高度：

0.9 mm

长度：

2 mm

系列：

SSM6L35

晶体管类型：

1 N-Channel, 1 P-Channel

宽度：

1.25 mm

品牌：

东芝

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

300 ns, 251 ns

典型的开启延迟时间：

115 ns, 175 ns

单位重量：

0.000265 oz

Tags

SSM6L35, SSM6L3, SSM6L, SSM6, SSM