SSM3K56CT,L3F

产品属性

属性值

制造商：

东芝

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

CST3-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

800 mA

Rds On - 漏源电阻：

186 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

400 mV

Vgs - 栅源电压：

8 V

Qg - 门电荷：

1 nC

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

500 mW (1/2 W)

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

0.38 mm

长度：

1 mm

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

0.6 mm

品牌：

东芝

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

10000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

8.5 ns

典型的开启延迟时间：

5.5 ns

Tags

SSM3K56C, SSM3K56, SSM3K5, SSM3K, SSM3, SSM